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双极型集成电路以双极型晶体管为基础的集成电路。采用硅平面工艺制成。特点为速度快、频率高、阈值电压低、稳定性好、负载能力强但工艺较复杂。主要用于模拟集成电路。
金属氧化物半导体集成电路简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。
集成电路制作在小硅片上的许多晶体管、电阻等元件组合成的电路至少能执行一个完整的电子电路的功能。英integrated circuit;