金属氧化物半导体集成电路简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。
半导体二极管又称“晶体二极管”。具有单向导电性的二端器件。按材料分有锗、硅或砷化镓;按结构分有点接触、pn结、pin、肖特基势垒、异质结;按原理分有隧道、变容、雪崩和阶跃恢复等。主要用于检波、混频、参量放大、开关、稳压、整流等。光通信发展后出现发光、光电、雪崩
半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。具有三个电极能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的pn结组成一个pnp(或npn)结构。中间的n区(或p区)叫基区两边的区域叫发射区和集电区这三部分各有一条电极引线分别叫基极b、